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本发明公开了碳化硅单晶及其生长装置和制备方法，其中，碳化硅单晶的生长装置包括：生长坩埚、内坩埚和导流筒，所述生长坩埚的顶部设有籽晶；所述内坩埚位于所述生长坩埚内的底部，并且所述内坩埚的横截面积自上而下减小；所述导流筒设在所述生长坩埚内且位于...
该专利属于江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司授权不得商用。

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