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本发明属于半导体氧化物气体传感器技术领域，公开一种抗有机硅中毒的双涂层H2传感器及其制备方法。所述传感器为旁热式传感器，由Al2O3陶瓷管、两个环状金电极、四条铂丝引线、敏感内层、抗毒外层、铬镍加热丝、六脚管座组成；其中，敏感内层材料为纳米...
该专利属于郑州大学所有，仅供学习研究参考，未经过郑州大学授权不得商用。

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