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实施例公开了一种半导体器件，包括：衬底；发光结构，在发光结构的厚度方向上包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层、以及穿过第二导电半导体层和有源层、以及部分第一导电半导体层的多个凹槽；多个...
该专利属于苏州乐琻半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州乐琻半导体有限公司授权不得商用。

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