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本发明公开了一种基于二次外延的InAlAs雪崩光电探测器的制备方法，在衬底上依次生长缓冲层、吸收层、带宽渐变层、电荷控制层、倍增层、腐蚀截止层和盖层；然后腐蚀盖层，形成中央集电区和环绕中央集电区的电场保护环，腐蚀停止在腐蚀截止层的上表面；然...
该专利属于北京英孚瑞半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京英孚瑞半导体科技有限公司授权不得商用。

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