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改善电力容差特性的薄膜体声波谐振器芯片封装结构制造技术
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下载改善电力容差特性的薄膜体声波谐振器芯片封装结构的技术资料
文档序号:32445694
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适用本发明之一实施例的改善电力容差特性的薄膜体声波谐振器芯片封装结构,包括:第1基板,形成有包括下部电极、压电层以及上部电极的多个薄膜体声波谐振器,以及与上述下部电极或上部电极连接的第1焊接焊盘;以及,第2基板,包括贯通基板的多个导通孔,在...
该专利属于天津威盛电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过天津威盛电子有限公司授权不得商用。
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