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本发明公开半导体装置组合件的经改进凸块共面性与相关联方法及系统。在一个实施例中，当形成半导体装置的钝化层中的开口以暴露接合垫的表面时，还可在所述钝化层中形成额外开口。通过使用漏铬工艺对所述钝化层进行部分曝光，额外开口可具有比延伸到接合垫的所...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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