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本公开一般地涉及存储器器件及其形成方法。更具体地，本公开涉及电阻随机存取(ReRAM)存储器器件。本公开提供了一种存储器器件，其包括：第一电极；电介质帽，其位于第一电极上方；第二电极，其与第一电极横向邻近，其中，第二电极的上表面与电介质帽的...
该专利属于格芯新加坡私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯新加坡私人有限公司授权不得商用。

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