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本发明实施例提供了一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成沟槽，所述沟槽的底面和侧壁形成有第一介质层；形成导体层，所述导体层覆盖所述沟槽的底面的所述第一介质层；在所述导体层上方的所述沟槽内形成第二介质层；在所...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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