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本实用新型涉及一种功率半导体结构，尤其是一种集成肖特基的屏蔽栅沟槽功率半导体结构，芯片表面设有六类沟槽，第一类沟槽互相平行且均匀分布，第二类沟槽环绕第一类沟槽设置，所述第五类沟槽位于所述第二类沟槽的内侧，将至少一对相邻的第一类沟槽替换为第五...
该专利属于无锡新洁能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能股份有限公司授权不得商用。

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