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本实用新型属于半导体晶体管技术领域，具体涉及到一种汽车电子用的硅ＰＮＰ型高频高速低饱和压降高电流增益功率晶体管。本实用新型的目的是这样实现的：在低阻硅片衬底上设置集电区，在集电区内形成基区，在基区内形成发射区，在发射区旁边的基区内形成增阻环...
该专利属于无锡固电半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡固电半导体股份有限公司授权不得商用。

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