温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了一种碳化硅的半绝缘体单晶，它具有至少５０００Ω－ｃｍ的室温电阻率和建立离价带或者导带至少７００ｍｅＶ的能态的俘获元素浓度，该浓度低于影响晶体电阻率的量，优选低于可检测的水平。还公开了形成晶体的方法以及一些得到的器件，这些器件采用利用本...
该专利属于克里公司所有，仅供学习研究参考，未经过克里公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。