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本发明公开了一种射频器件产品的通孔刻蚀方法，旨在提供一种刻蚀效率高且效果好的射频器件产品的通孔刻蚀方法。其技术方案的要点是：第一步，进行顶层氮氧化硅的刻蚀，将该层膜刻蚀干净；第二步，进行氧化膜的主刻蚀，追加５０％的过刻蚀，以确保硅片面内每个...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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