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一种利用浅沟渠隔离（ｓｈａｌｌｏｗ　　ｔｒｅｎｃｈ　　ｉｓｏｌａｔｉｏｎ，ＳＴＩ）技术制造集成电路（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　　ｃｉｒｃｕｉｔ，ＩＣ）的方法。该浅沟渠隔离技术用于应变硅（ｓｔｒａｉｎｅｄ　　ｓｉｌｉｃｏｎ，ＳＭＯＳ）工艺中。沟渠...
该专利属于先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微装置公司授权不得商用。

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