下载横向双扩散的MOS晶体管及其制造方法的技术资料

文档序号:3238117

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

横向双扩散MOS晶体管,包括设置在第二传导类型的半导体衬底上的第一传导类型的漂移区和形成在漂移区内的表面上的第二传导类型的体扩散区。MOS晶体管包括形成在该一个位置以使其经由绝缘膜而覆盖从体扩散区部分到位于扩散区外的漂移区的部分的栅极;MO...
该专利属于夏普株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过夏普株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。