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提供一种包括具有ＭＩＭ结构的电容器的半导体器件，通过其来提高器件的尺寸精度，并且提供稳定的电容值。半导体器件（１００）包括：半导体衬底（１０２）；形成有ＭＩＭ电容器的电容器形成区（１３０），其中ＭＩＭ电容器具有形成在半导体衬底（１０２）上的...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

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