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本发明公开了一种形成具有倾角导电层的方法，利用较低的蚀刻温度约２５℃～４０℃的蚀刻液，或是温度不同的蚀刻液（例如：３５℃～３０℃／３０℃～２５℃），对于基板上的单一导电层或多层结构的导电层进行湿法蚀刻，以获得适当的导电层倾角。...
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