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一种处理基板的系统及方法包括将基板装载到等离子体室中和将等离子体室的压力设定为预定压力设定值。限定等离于体区的多个内表面被加热到大于约２００℃的处理温度。处理气体被注入等离子体区内，以形成等离子体，且基板被处理。...
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