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本发明公开了一种大功率ＬＥＤ倒装芯片，由Ｐ－Ｎ电极外延片和带有反射层的硅衬底组成；在Ｐ－Ｎ电极之间生长一层钝化层；在本征半导体硅衬底上形成电学隔离层，在该电学隔离层上形成金属反射层；所述Ｐ－Ｎ电极外延片和带有反射层的硅衬底进行倒装焊接形成大...
该专利属于上海蓝光科技有限公司;华东师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海蓝光科技有限公司;华东师范大学授权不得商用。

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