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改进的蚀刻方法技术
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文档序号:3236987
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公开一种蚀刻结构的改进方法以及由该方法蚀刻的结构。结构的实例为IC封装的引线框的底侧,有利地可以通过所公开的方法对其进行蚀刻。该方法包括给要被蚀刻的衬底设置蚀刻掩模的步骤。该蚀刻掩模包括至少两个子掩模:覆盖在蚀刻工艺之后基本上保留下来的区域...
该专利属于NXP股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过NXP股份有限公司授权不得商用。
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