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一种从具有表面和内部的硅晶片除去选自铜、镍及其组合的杂质的方法。该方法包括在受控的气氛中从等于或高于氧化起始温度的温度冷却硅晶片，并在所述氧化起始温度下使含氧气氛开始流动以便围绕硅晶片表面形成氧化环境，从而在硅晶片表面上形成氧化层，并在该氧...
该专利属于MEMC电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过MEMC电子材料有限公司授权不得商用。

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