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提供了一种在晶片上形成半导体器件的方法。蚀刻层形成在晶片上面。光刻胶掩模形成在蚀刻层上面。仅环绕晶片外边缘的光刻胶掩模被除去，以暴露环绕晶片外边缘的蚀刻层。包括含碳和氢物种的沉积气体被提供。从沉积气体形成等离子体。聚合物层被沉积在环绕晶片外...
该专利属于兰姆研究有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过兰姆研究有限公司授权不得商用。

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