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本申请公开了一种单片集成的基于薄膜铌酸锂的分束调制芯片，其特征在于，包括基底层、下包层、波导芯层、金属层和上包层；基底层、下包层和波导芯层自下而上连接，上包层位于波导芯层上方，金属层位于波导芯层中波导的两侧，并穿过上包层连接波导芯层和外界空...
该专利属于上海安湃芯研科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海安湃芯研科技有限公司授权不得商用。

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