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本发明提供了一种改进的ＬＥＤ，包括短波长ＬＥＤ和再发射半导体结构，其中该再发射半导体结构包括至少一个不位于ｐｎ结内的势阱。典型地该势阱是量子阱。该改进的ＬＥＤ可以是白光或接近白光ＬＥＤ。该再发射半导体结构还可包括围绕或靠近或直接相邻于该势阱...
该专利属于3M创新有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过3M创新有限公司授权不得商用。

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