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一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片及测量方法，属于半导体器件失效评估领域，它由在衬底上与前者结成一体的由半导体材料构成的平台，固接在平台表面的一排电极，在平台表面平行于电极固接有一排与电极一一对应的辅助电极构成，相邻电极之间的距离互不...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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