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本发明涉及氧化ＳｉＧｅ层的表面区域的方法，该方法包括对ＳｉＧｅ层进行氧化热处理以氧化所述表面区域，其特征在于包括两个阶段：第一阶段，氧化热处理，所述氧化热处理直接在所述ＳｉＧｅ层上进行，从而得到氧化区域，所述氧化区域具有足以形成覆层氧化物的...
该专利属于硅绝缘体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅绝缘体技术有限公司授权不得商用。

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