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在包括氧化物半导体膜的半导体装置中，提供一种包括电特性优良的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括玻璃衬底和沟道蚀刻型晶体管的半导体装置。沟道蚀刻型晶体管包括栅电极、第一绝缘膜、第二绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极、第三绝缘膜、像素电极...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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