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公开了一种可去除刻蚀后残留聚合物的半导体器件制造方法，通过在刻蚀后进行热处理对残留的难溶聚合物进行收缩、软化及燃烧，实现刻蚀后残留聚合物的完全去除。本发明实现方便，无需增加额外的工艺步骤，仅依靠对工艺顺序进行调整即可实现，对生产周期没有影响...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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