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本发明公开了一种改善ＳＴＩ－ＣＭＰ终点检测的方法，包括ＳＴＩ－ＣＭＰ前后相关工艺步骤和终点检测步骤，所述ＳＴＩ－ＣＭＰ前后相关工艺依次包括氧化硅沉积、氮化硅沉积、ＳＴＩ沟槽刻蚀、氧化硅填入、化学机械抛光、氮化硅去除和氧化硅去除的步骤，在化学...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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