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一种制造半导体器件的金属线的方法，该方法防止了金属线中锯齿状突起的形成，从而提高了半导体器件的操作可靠性。该方法包括：在半导体衬底中形成下部金属线；在包括下部金属线的半导体衬底上方形成第一氮化层作为蚀刻停止层；在第一氮化层上方形成第一绝缘层...
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