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本发明提供一种ＬＤＭＯＳ及集成ＬＤＭＯＳ与ＣＭＯＳ的半导体器件，其中集成ＬＤＭＯＳ与ＣＭＯＳ的半导体器件，包括设于一半导体衬底上一ＣＭＯＳ和一ＬＤＭＯＳ，其特征在于该ＬＤＭＯＳ包括：一位于该衬底表面的沟道，位于该沟道上的一栅极，一源／漏极，...
该专利属于谭健所有，仅供学习研究参考，未经过谭健授权不得商用。

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