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本发明涉及电阻式存储器器件及其制造方法。本文公开的示例性器件包括底部电极、位于底部电极上方的保形切换层和位于保形切换层上方的顶部电极。顶部电极包括位于保形切换层上方的保形导电材料层和位于保形导电材料层上方的导电材料。上方的导电材料。上方的导...
该专利属于格芯新加坡私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯新加坡私人有限公司授权不得商用。

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