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公开了一种具有不同侧壁层宽度的ＣＭＯＳ的制造方法，包括：提供一半导体衬底；在所述衬底上形成第一栅极结构和第二栅极结构；在具有所述第一栅极结构和第二栅极结构的衬底表面淀积第一介质层；刻蚀所述第一介质层，以在所述第一栅极结构和第二栅极结构两侧形...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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