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一种氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包括：　第一结晶生长工序，在基板上至少顺序地层叠由氮化镓系化合物半导体形成的ｎ型半导体层、发光层和第一ｐ型半导体层；　第二结晶生长工序，进一步层叠由氮化镓系化合物半导体形成 ...
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