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提供一种具有并联导电层的突变ＭＩＴ（金属－绝缘体转变）装置。所述突变ＭＩＴ装置包括设置于衬底特定区域的第一电极、设置于与所述第一电极分开预定距离的第二电极，和至少一个导电层，其电连接所述第一电极和所述第二电极，并且具有允许所述导电层的整个区...
该专利属于韩国电子通信研究院所有，仅供学习研究参考，未经过韩国电子通信研究院授权不得商用。

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