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一种用于制备粘结的衬底结构的方法，包括将第一硅衬底结合至第二硅衬底。形成具有第一特性的界面区域，其包括在单晶硅材料厚度和第二硅衬底之间的硅氧化物材料。该方法包括使界面区域进行热处理，以使界面区域由第一特性转变为第二特性。在特定的实施方式中，...
该专利属于硅源公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅源公司授权不得商用。

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