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本发明提出的电子器件包括：ＲＦ晶体管（１００），其设计用于基本ＲＦ频率，并与带有另一晶体管（２００）的静电保护结构（２５０）集成为一体。晶体管适宜为ＭＯＳ晶体管，有栅极、源极和漏极，其中源极耦合至接地的衬底区。另一晶体管的漏区耦合至ＲＦ晶体...
该专利属于NXP股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NXP股份有限公司授权不得商用。

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