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本发明的目的在于提供一种即使是将氮化硅膜等用作接合层的情况，也可以降低支撑衬底和半导体衬底之间的结合不良的产生的ＳＯＩ衬底的制造方法。此外，本发明还有一个目的是提供一种可以抑制工序的增加的ＳＯＩ衬底的制造方法。其步骤如下：准备半导体衬底、以...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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