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存储器可以利用一种被定义为基本的非晶相的硫属材料的稳态硫属玻璃来实现，当该材料暴露在２００℃下３０分钟或者更短的时间时不会改变为基本的晶相。可以通过改变材料的阈值电压来编程不同的状态。可以通过不同振幅和／或不同脉冲下降时间的脉冲来改变阈值电...
该专利属于奥沃尼克斯股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过奥沃尼克斯股份有限公司授权不得商用。

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