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本发明提供一种控制蚀刻偏差的方法，蚀刻偏差是光刻后特定图形尺寸的大小ＡＤＩ　ＣＤ与蚀刻后介质层尺寸的大小ＡＥＩ　ＣＤ的差值；其中，该方法包括建立数据库步骤和自动控制步骤，首先建立不同曝光焦距对应的不同蚀刻偏差的数据库，然后在实际工艺中可以执...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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