温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种含不对称双量子阱结构ＧａＭｎＮ铁磁半导体异质结材料及其制备，由Ｓｉ衬底、左势垒层、左量子阱、中间势垒层、右量子阱和右势垒层组成，后五层薄膜依次生长在Ｓｉ衬底上，构成左势垒层、中间势垒层和右势垒层的材质是Ａｌ↓［０．１３］Ｇａ↓［０．８７...
该专利属于华东师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华东师范大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。