温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体制造工艺，包括：在晶体管区的任一侧上形成隔离结构（１０６）；形成栅结构（１１０）覆盖在所述晶体管区上面，去除源／漏区（１０７）以形成源／漏凹陷（１２０）；去除所述隔离结构的一些部分以形成凹陷的隔离结构（１２６）；以及用源／漏应激物...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。