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一种制造半导体器件的闪速单元的方法包括在硬质掩模图样上和／或上方沉积损害防止膜，以防止在使用蒸汽处理室（ＶＰＣ）工艺去除硬质掩模时对栅极图样的ＯＮＯ膜的损害。...
该专利属于东部高科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部高科股份有限公司授权不得商用。

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