下载氮化物半导体发光元件的技术资料

文档序号:3232400

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

一种氮化物半导体发光元件,根据与现有技术完全不同的着眼点而通过简单的方法来把从p型氮化物半导体层向活性层的载流子注入效率提高。在兰宝石基板(1)上层合缓冲层(2)、不掺杂的GaN层(3)、n型GaN接触层(4)、InGaN/GaN超晶格层(...
该专利属于罗姆股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过罗姆股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。