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氮化物半导体发光元件制造技术
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文档序号:3232399
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一种氮化物半导体发光元件,根据与现有技术完全不同的着眼点而通过简单的方法把从p型氮化物半导体层向活性层的载流子注入效率提高。在兰宝石基板(1)上层合缓冲层(2)、不掺杂的GaN层(3)、n型GaN接触层(4)、InGaN/GaN超晶格层(5...
该专利属于罗姆股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过罗姆股份有限公司授权不得商用。
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