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本发明提供一种即使与其他半导体电路一起集成到１个半导体衬底上时也可以降低高频信号的透过损失的高频开关电路装置。该高频开关电路装置在Ｐ型硅衬底１００上具有作为开关元件的ＦＥＴ１０１。ＦＥＴ１０１具有Ｎ型势阱１２２、栅电极１２４、源极层１２５和...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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