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本发明公开了一种以单一气体为源气体制备碳化硅晶体的方法，该方法所采用的设备包括依次通过气体管路连接的低温腔、高温腔、结晶腔；步骤为：(1)以硅烷衍生物气体或氯硅烷衍生物气体作为源气体，通入低温腔，使源气体裂解；(2)然后通过入口气体管路通入...
该专利属于江苏超芯星半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏超芯星半导体有限公司授权不得商用。

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