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本发明公开了一种选择性发射极太阳电池制作过程中的氧化硅生成工艺，通过最优化整个氧化工艺过程中温度，气流量，氧化时间等重要参数可以在硅片表面生长出致密的，稳定的氧化薄膜去阻止磷源进入硅片，然后结合相关的刻蚀手段即可实现硅片表面局部重扩散和轻扩...
该专利属于上海晶澳太阳能光伏科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海晶澳太阳能光伏科技有限公司授权不得商用。

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