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使用辐照退火制造绝缘体上半导体结构的方法技术
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文档序号:3231895
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用于绝缘体上半导体(SOI)结构的系统和方法及其产品,包括对至少一个未整饰的表面进行激光退火工艺。制造SOI结构还可包括对施主半导体晶片的注入表面进行离子注入工艺以在施主半导体晶片中产生脱落层;将该脱落层的注入表面与绝缘体衬底接合;将脱落层...
该专利属于康宁股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过康宁股份有限公司授权不得商用。
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