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晶体管保护环的制作方法、离子注入工艺优化方法及装置，其中晶体管保护环的离子注入工艺优化方法，包括下列步骤：通过变化离子注入工艺条件中的注入角度值，确定优化的注入角度值；采用优化注入角度值，通过变化离子注入工艺条件中的注入剂量值与注入能量值，...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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