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本发明是一种静电放电防护半导体装置，至少包括一高电压寄生硅控整流器及一二极管。高电压硅控整流器包括阳极与阴极，且高电压硅控整流器的阴极是接地。二极管是以串联方式耦接至高电压硅控整流器且亦包括阳极与阴极。二极管的阳极耦接至高电压硅控整流器的阳...
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